集成电路生产的第一步是通过传输电路的模式到基板。光敏聚合物光刻用紫外线照射，成像去除辐照部分。一旦电路图案固定在光刻胶上，图案可以通过蚀刻工艺复制到多晶硅等衬底薄膜上，从而形成晶体管栅电路，同时利用铝或铜实现元件之间的互连，或者利用硅封闭互连路径。蚀刻的效果是将印刷图案转移到基片上，具有较高的精度，因此蚀刻过程必须选择性地去除不同的薄膜，基片的蚀刻需要高的选择性。否则，不同导电金属层之间会出现短路。此外，蚀刻过程也应该是各向异性的，以便印刷图案可以准确地复制到基板。

20世纪70年代，微电子元件工业开始采用等离子刻蚀技术。等离子体可以将气体分子电离或分解成化学活性成分，它们与基体的固体表面发生反应，产生挥发性物质，然后通过真空抽运。通常需要刻蚀的材料有四种：硅（体积或非体积）、介电（如sio2或sin）、金属（通常是铝、铜）和光刻胶。每种材料的化学性质各不相同。

等离子体刻蚀是一种各向异性刻蚀工艺，能够保证刻蚀图案的准确性、特殊材料的选择性和刻蚀效果的均匀性。在等离子体刻蚀中，基于等离子体相互作用的物理刻蚀和基于活性基团相互作用的化学刻蚀同时发生。这种等离子体刻蚀工艺是从一种简单的平板二极管技术开始的，发展成一种价值数百万美元的多频发生器、静电吸收器、外墙温度控制器和各种专门为特定薄膜设计的过程控制传感器的复合腔。可以刻蚀的介质是二氧化硅和氮化硅。这两种介质的化学键能很高，通常是由氟化碳气体（如cf4、c4f8等）产生的高活性氟等离子体刻蚀而成。